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个人简介

我是张雁楠，分别于2017年07月以及2020年07月在北京邮电大学获得工学学士和工学硕士学位。本人的研究兴趣主要集中在模拟射频集成电路、高性能/低功耗模拟数字转换器以及高开关比、低亚阈值斜率新型硅基CMOS器件。

教育背景

北京邮电大学
2017年9月 - 2020年7月, 电子科学与技术工学硕士学位
连续三年获得一等奖学金
北京邮电大学
2013年9月 - 2017年7月, 电子科学与技术工学学士学位
2016年获得高通奖学金
2016年获全国大学生电子设计竞赛北京赛区一等奖

学术成果

[1] K. Han, Y. Zhang and Z. Deng, “A Simulation Study of Gate-All-Around Nanowire Transistor With a Core-Substrate,” in IEEE Access, vol. 8, pp. 62181-62190, 2020, doi: 10.1109/ACCESS.2020.2983724.SCI 二区

本文提出了一种基于传统环栅纳米管器件（GAA MOSFET）的新型环栅MOSFET，其主要特点为具有内嵌的核心衬底结构，能够有效的抑制关态电流，使静态功耗降低1倍以上。同时新型器件的性能不易受工艺偏差影响。
本人提出了本文之中所涉创新点、设计并完成了实验、收集数据并撰写论文。

[2] Zhang, Y.; Han, K.; Li, A.J. A Simulation Study of a Gate-All-Around Nanowire Transistor with a Core–Insulator. Micromachines 2020, 11, 223.SCI 四区

本文提出了一种基于传统环栅纳米管器件（GAA MOSFET）的新型环栅MOSFET，其主要特点为具有内嵌的绝缘核心结构，能够有效的抑制关态电流，使静态功耗降低50%以上。同时绝缘核心材料可以更换以降低器件栅电容，进而可提升10%工作频率。
本人提出了本文之中所涉创新点、设计并完成了实验、收集数据并撰写论文。

两篇文章中，我均位列学生作者第一位。K. Han为我的硕士导师。

研究兴趣

高开关比、低亚阈值斜率新型硅基CMOS器件。
低功耗、高性能模拟数字转换器/噪声整形SAR ADC。
超低压模拟/射频集成电路。

科研、实习经历

北京邮电大学
2017年12月 - 2019年1月, 中国北京
14纳米以下技术代硅基新型器件及关键工艺技术研究，863项目，2015AA016501
以突破14纳米以下尺度器件的功耗瓶颈为目标，以新一代FinFET器件为出发点，在新结构、新原理、新材料和新工艺研究的基础上，获得未来器件发展趋势，提出新器件实现方案并开展相关工艺技术研究。 提出两种基于环栅纳米器件的新型器件结构，并提出了兼容现有CMOS加工工艺的加工流程，新器件可降低50%静态功耗，其性能不易受工艺偏差影响。
发表两篇SCI文章
北京邮电大学
2016年12月 - 2017年9月, 中国北京
指导北邮电子院45位参赛人员参加全国大学生电子设计大赛，获得4个全国一等奖、5个全国二等奖。
培训参赛者，包括电路设计、电路调试、仪器仪表使用、电路板布局布线、嵌入式系统编程
革新了北邮电子院对参赛者的培训方法，使培训更有效率、更具成效

项目设计

电路设计

以下电路设计相关项目为本人个人学习研究项目，未受任何资助

PCB布线经验

以下PCB相关项目为本人个人学习研究项目，未受任何资助

CMOS器件相关项目

以下项目为科研项目，受863项目“14纳米以下技术代硅基新型器件及关键工艺技术研究”和 “中央高校基本科研业务费专项资金(2019PTB-016)”支持.

个人业余爱好

电子制作及DIY

我的电子制作和DIY

我的电子收藏

作为一个电子技术爱好者，当然热衷于收藏电子元器件、电子设备、仪器仪表！

我的电子收藏

我录制的视频教程

以下是我录制的一些视频教程，录制这些教程的初衷是为了更好的带领北邮电子工程学院的学生参加全国大学生电子设计竞赛，他们作为初学者，需要一些捷径以便更快入门。在这些教程中，我尝试用一种直白而且实用的方式讲述基本知识，我曾经用这些教程培训电子工程学院的同学参加全国大学生电子设计竞赛，所获参赛成绩是我校历史最好成绩，同时这些视频在北京邮电大学电子工程学院广为传播，帮助众多学弟学妹实现快速入门。

照片

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联系方式

邮箱: murmures@bupt.edu.cn